Die metallorganische Molekularstrahlepitaxie für die Erzeugung neuartiger III‐V‐Halbleiterstrukturen

Prinzipiell ist die metallorganische Molekularstrahlepitaxie (MOMBE oder CBE) die konsequenteste Form der Niedrigdruck‐metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE). Die Konzeption eines MOMBE‐Systems ist jedoch aufgrund des Molekularstrahlcharakters durch gänzlich andere Kriterien bestimmt als es in einem durch Fluß‐Dynamik bestimmten MOVPE‐System der Fall ist. Die Charakteristika einer MOMBE‐Epitaxie‐Anlage werden diskutiert und die zentralen Einsichten in den Wachstumsmechanismus des sogenannten oberflächenselektiven Wachstums werden angesprochen. Die Erkenntnisse bezüglich des Mechanismus können für die Verwirklichung von neuartigen Bauelementkonzepten ausgenutzt werden, wie z.B. für die laterale Integration von photonischen Bauelementen oder niedrig‐dimensionalen elektronischen Bauelementen. Darüber hinaus beeinflussen diese Erkenntnisse und Möglichkeiten auch wiederum die Entwicklungen von MOMBE‐Anlagen der nächsten Generation.