Das Polygonisations‐ und Rekristallisationsverhalten von reinem Eisen im Hinblick auf die Herstellung von Einkristallen

An reinem Eisen mit 0,022% Si und Gehalten an sonstigen Begleitstoffen von weniger als 0,005% Untersuchungen über die Polygonisation und Rekristallisation in Abhängigkeit vom Reckgrad und der Glühtemperatur. Versuche zur Herstellung von Einkristallen durch Rekristallisation nach starker Kaltverformung oder durch Γ‐α‐Umwandlung. Einfluß des Ausgangsgefüges und des Gehaltes an Begleitstoffen auf die Ergebnisse.