Spin‐dependent recombination at exchange‐coupled dislocation centres in silicon

The recent experimental results on spin‐dependent recombination at dislocations in Si are reviewed. A theoretical model including an exchange interaction between unpaired electrons in the dislocation core is proposed. The numerically calculated exchange integral appears to have a positive value. The model presents a dislocation as consisted of segments of exchange‐coupled paramagnetic centres. The magnetization of the segments, calculated in Ising approximation is compared with the experimental results. Kürzliche experimentelle Ergebnisse von spinabhängiger Rekombination an Versetzungen in Si werden erneut diskutiert. Ein theoretisches Modell wird vorgeschlagen, das Austauschwechsel‐wirkung zwischen ungepaarten Elektronen im Kern der Versetzung annimmt. Das numerisch berechnete Austauschintegral scheint einen positiven Wert zu haben. Das Modell liefert eine Versetzung, die aus Abschnitten von Austausch‐gekoppelten paramagnetischen Zentren besteht. Die Magnetisierung der Abschnitte, die mit der Ising‐Näherung berechnet wird, wird mit den experi‐mentellen Ergebnissen verglichen.