Diffusionsanisotropie in Eisen–Silizium‐Legierungen

Die magnetfeldinduzierte Anisotropie wurde an FeSi‐Einkristallen mit 4,2; 6,7; 9,8 und 14 At% Si untersucht. Zwischen 50 und 350°C zeigt die Diffusionsanisotropie sowohl in [100]‐ als auch in [110]‐Richtung fast die gleiche Abhängigkeit von der Meßtemperatur wie die Kristallanisotropie. Die Zeitabhängigkeit der in einer Probe mit 4,2 At% Si in [100]‐bzw. [110]‐Richtung induzierten Anisotropie läßt sich gut durch eine einzige Relaxationszeit mit τ 0 = 3 × 10 −14±1.5 s und Q = (2,35 ± 0,2) eV beschreiben. Die Kristalle mit höheren Si‐Gehalten zeigen ein komplizierteres Verhalten.