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Propriétés des alliages InSb 1− x Bi x I. Mesures électriques
Author(s) -
JeanLouis A. M.,
Hamon C.
Publication year - 1969
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - French
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19690340134
Subject(s) - physics , bismuth , semiconductor materials , humanities , materials science , semiconductor , metallurgy , optoelectronics , philosophy
Nous avons mis en évidence l'existence de solutions solides InSb 1− x Bi x avec x ≦ 2,2%. Des mesures d'effet Hall et de conductivité effectuées sur des monocristaux de compositions variées, dans l'intervalle de température 77 à 435°K, sont analysées à l'aide du modèle de Kane. Les résultats, en bon accord avec ce modèle, montrent que la présence de bismuth dans l'InSb entraîne un rétrécissement de la bande interdite à 0°K, et une diminution du coefficient de température γ. La variation de E G 0est d'environ 3,8 eV par mole de Bi.