Die Bestimmung der Austrittstiefe von Photoelektronen in Caesium–Antimon‐Schichten

An Halbleiterkathoden vom Typ Cs 3 Sb wurden im sichtbaren Spektralbereich die optischen Konstanten, die Schichtdicke und der Photostrom gemessen. Die aus den optischen Messungen berechnete Energieverteilung in der Schicht und die Transportfunktion für Elektronen bestimmen den emittierten Photostrom. Die Größe der Austrittstiefe der Photoelektronen—Parameter der Transportfunktion—wird mit dem Quotientenverfahren ermittelt. Im untersuchten Spektralbereich von 440 bis 620 nm hat die Austrittstiefe einen Wert von 15 nm.