Optische und elektrische Messungen an dünnen Thallium(III)‐Oxydschichten

Durch Kathodenzerstäubung wurden dünne polykristalline Tl 2 O 3 −Schichten hergestellt. Sie besaßen auf Grund eines stark unterstöchiometrischen Sauerstoffanteils eine hohe Konzentration freier Elektronen ( n e ≈ 7 × 10 20 cm −3 ). An Schichten mit genügend hoher Elektronenbeweglichkeit (μ = 75 bis 100 cm 2 /Vs) wurden die optischen Konstanten zwischen 0,2 und 4,5 μm ermittelt. Aus dem Dispersions‐ und Absorptionsverlauf im Ultraroten wurden die effektive Masse im Leitungsband ( m * = 0,32 m 0 ) und der Einfluß des Fermi‐Niveaus auf die Absorption durch freie Ladungsträger beim entarteten Halbleiter bestimmt. Aus dem Absorptionsverlauf im sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich ergaben sich Bandabstände für direkte (Δ E direkt = 2,25 eV) und indirekte Übergänge, letztere modifiziert durch den Burstein‐Effekt (Δ E indirekt + ξ ≈ 1,4 eV).