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Optische und elektrische Messungen an dünnen Thallium(III)‐Oxydschichten
Author(s) -
Geserich H. P.
Publication year - 1968
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19680250227
Subject(s) - physics , chemistry , thallium , analytical chemistry (journal) , inorganic chemistry , chromatography
Durch Kathodenzerstäubung wurden dünne polykristalline Tl 2 O 3 −Schichten hergestellt. Sie besaßen auf Grund eines stark unterstöchiometrischen Sauerstoffanteils eine hohe Konzentration freier Elektronen ( n e ≈ 7 × 10 20 cm −3 ). An Schichten mit genügend hoher Elektronenbeweglichkeit (μ = 75 bis 100 cm 2 /Vs) wurden die optischen Konstanten zwischen 0,2 und 4,5 μm ermittelt. Aus dem Dispersions‐ und Absorptionsverlauf im Ultraroten wurden die effektive Masse im Leitungsband ( m * = 0,32 m 0 ) und der Einfluß des Fermi‐Niveaus auf die Absorption durch freie Ladungsträger beim entarteten Halbleiter bestimmt. Aus dem Absorptionsverlauf im sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich ergaben sich Bandabstände für direkte (Δ E direkt = 2,25 eV) und indirekte Übergänge, letztere modifiziert durch den Burstein‐Effekt (Δ E indirekt + ξ ≈ 1,4 eV).