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Zur Photoimpedanz von ZnS‐Phosphoren
Author(s) -
Krispin P.
Publication year - 1968
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19680250114
Subject(s) - philosophy , humanities , physics , chemistry
Es werden die Kapazität und der Verlustfaktor von eingebetteten ZnS‐Phosphoren in Abhängigkeit von der Frequenz des elektrischen Wechselfeldes und der Anregungsintensität gemessen. Bei Leuchtstoffen mit kubischer Kristallstruktur und hinreichend hohem Sauerstoffgehalt tritt ein Verlustfaktormaximum auf, dessen Frequenzlage von der Anregungsintensität unabhängig ist. Dieses Impedanzverhalten kann mit Raumladungsprozessen erklärt werden, wobei die Einstellzeit des quasistationären Gleichgewichts zwischen den Elektronen im Leitungsband und in Störtermen eine Dispersion der Photoimpedanz verursacht. Im Zusammenhang mit den beschriebenen Ergebnissen werden die bisher benutzten Kriterien für das Vorliegen eines echten dielektrischen Effektes analysiert.