Leitfähigkeit und Feldeffekt reiner Siliziumspaltflächen

An Siliziumkristallen (etwa 10 4 ωcm, p‐leitend), die im Ultrahochvakuum gespalten worden waren, wurden Oberflächenleitfähigkeit und Feldeffekt gemessen. Durch eine Abschirmung der Proben und Messung des Feldeffektes für verschiedene Abstände der Feldelektrode konnte der verfälschende Beitrag der oxidbedeckten Seitenflächen ausgeschaltet werden. Die reine Oberfläche ergibt sich als schwach p‐leitend (Δσ = (4,2 ± 1,3) × 10 −7 A/V) mit einer hohen Dichte von Oberflächenzuständen ( S E = 10 14 eV −1 cm −2 ). Durch Wasserdampf wird die Spaltfläche stark n‐leitend, während durch Sauerstoff die Oberflächenleitfähigkeit nahezu den Minimalwert zwischen p‐ und n‐Leitung annimmt.