Zur Anregungs–Rekombinationsstatistik in Halbleitern | Zendy

Jungk G. | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Premium

Zur Anregungs–Rekombinationsstatistik in Halbleitern

Author(s) -

Jungk G.

Publication year - 1966

Publication title -

physica status solidi (b)

Language(s) - German

Resource type - Journals

SCImago Journal Rank - 0.51

H-Index - 109

eISSN - 1521-3951

pISSN - 0370-1972

DOI - 10.1002/pssb.19660180130

Subject(s) - chemistry , physics

Für einen Halbleiter mit einem Donator (Akzeptor) und einem Zentrum, welches mit beiden Bändern in Wechselwirkung steht, werden die kinetischen Gleichungen durch Vorgabe der Abweichung vom thermodynamischen Gleichgewicht vollständig gelöst. Für verschiedene Anregungsbedingungen (Grundgitteranregung, Störstellenanregung, gemischte Anregung) können beide Nichtgleichgewichtskonzentrationen für beliebige Abweichungen vom thermodynamischen Gleichgewicht berechnet werden. Als Anwendungsbeispiel sind Temperatur‐ und Intensitätsabhängigkeiten der Nichtgleichgewichtskonzentrationen in Silizium mit speziellen Störstellen dargestellt.

This content is not available in your region!

Continue researching here.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research