Sur la structure de bandes des alliages HgTe‐CdTe I. Mesures électriques

Des mesures électriques sont utilisées pour caractériser le régime intrinsèque des alliages Cd x Hg 1−x Te pour 0 ≦ × < 0,30. On établit un traitement statistique simple de la distribution des porteurs, permettant de prédire l'évolution du régime intrinsèque en fonction de la température des semi‐métaux et semiconducteurs de bande interdite nulle ou faible, cristallisant dans la structure de la blende de zinc. Les conclusions du calcul, qui en particulier aboutissent à la définition d'un critère simple permettant de distinguer les semi‐métaux à faible recouvrement des semiconducteurs à très petite largeur de bande interdite, rendent compte des effets observés sur les trois séquences de compositions 0 ≦ × ≦ 0,10; 0,10 < × < 0,20; × ≧ 0,20 des alliages Cd x Hg 1‐x Te.