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Zusammenhang zwischen Raumladung, Oberflächenleitfähigkeit und Bandverbiegung für Photoleiter bei homogener optischer Anregung
Author(s) -
Weber E.H.
Publication year - 1966
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19660170244
Subject(s) - physics
Es werden allgemeine Formeln zur Berechnung des gegenseitigen Zusammenhangs von Oberflächenleitfähigkeit, Raumladung und Bandverbiegung für homogene Photoleiter bei homogener optischer Anregung angegeben. Genauer diskutiert werden folgende Grenzfälle: Photoleiter mit bimolekularer Rekombination und Photoleiter mit monomolekularer Rekombination und tiefen Haftstellen bzw. annähernd exponentiell mit der Energie ansteigender Haftstellenkonzentration. Es wird der Einfluß der Variation verschiedener Parameter, wie Anregungsintensität. (d. h. Volumenelektronenkonzentration) und Oberflächenladung, und der Einfluß eines äußeren elektrischen Feldes (Feldeffekt) diskutiert. Über die Oberflächenzustände wurde dabei vorausgesetzt, daß sie nicht als Oberflächenrekombinationszentren wirken.