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Elektronenzustände in Halbleiterversetzungen
Author(s) -
Güth W.,
Haist W.
Publication year - 1966
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19660170225
Subject(s) - physics , humanities , philosophy
Mit Hilfe der Methode der effektiven Masse werden die Defektelektronenzustände einer Versetzungslinie berechnet. Es ergibt sich ein eindimensionales halbbesetztes Band in Richtung der Versetzungslinie, in dem die Defektelektronen quasifrei beweglich sind. In radialer Richtung zur Versetzungslinie sind die Defektelektronen stark gebunden, so daß die Versetzungslinie eng umgeben ist von einer Defektelektronenladungswolke, deren Halbmesser etwa gleich der Gitterkonstanten ist. Bei so eng begrenzten Elektroneneigenfunktionen liefert die Methode der effektiven Masse einen zu kleinen Wert der Bindungsenergie. Die unbekannten physikalischen Größen werden aus Messungen von Bliek und Schröter ermittelt, und die Rechnung wird diesen Werten angeglichen. Es gibt nur den radialsymmetrischen Defektelektronenzustand. Angeregte Zustände sind nicht stabil.

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