Impulsmethode zur Untersuchung der Haftstellen in Kristallen vom CdS‐Typ

Abstract Es wird eine Methode zur Bestimmung der Haftstellenparameter in Kristallen vom CdS‐Typ beschrieben. Zur Messung werden Kristalle mit Elektroden vom “sandwich”‐typ mit mindestens einem Sperrschichtkontakt verwendet. Die Kristalle werden kontinuierlich beleuchtet. Mittels impulsförmig angelegter Spannung bestimmt man die Konzentration der freien Elektronen n 0 , die Konzentration der von den Haftstellen eingefangenen Elektronen m 0 und die charakteristische Zeit für thermische Entleerung der Haftstellen. Die Termtiefe ΔE kann nach drei Verfahren gefunden werden: 1. aus der Temperaturabhängigkeit von τ, 2. aus der Abhängigkeit des Verhältnisses m 0 /n 0 von der Belichtungsintensität und 3. aus der Temperaturabhängigkeit von m 0 /n 0 . Bei Verwendung der so gefundenen Werte ΔE werden dann die Haftstellenkonzentration M und der Einfangquerschnitt S bestimmt. Die Methode ist zur Untersuchung der Feldstärkenabhängigkeit von S sehr geeignet, weil bei starken Feldern die Wahrscheinlichkeiten für Kristallerhitzung, Stoßionisation und Ladungsträgerinjektion aus den Kontakten stark herabgesetzt sind. Die experimentelle Erprobung der Methode ist mit CdS‐Kristallen durchgeführt worden. Die erhaltenen Ergebnisse für ΔE werden mit entsprechenden Ergebnissen aus Leitfähigkeitsglowkurven [2, 9, 11, 13] verglichen. Es ergibt sich gute Übereinstimmung mit den Ergebnissen nach [2], jedoch Abweichung von den Werten nach [9, 11, 13].