Zeitabhängigkeit raumladungsbegrenzter Injektionsströme in Fe‐dotiertem p‐Silizium

Es wird über Impulsmessungen raumladungsbegrenzter Ströme bei p + ‐p‐p + ‐Kristallen mit eindiffundierten Anreicherungskontakten berichtet. Aus der Zeitabhängigkeit des Injektionsstroms kann die Einfangwahrscheinlichkeit r c ( H ‐ H   0 + ) bestimmt werden. Bei Vorliegen einer gegenüber der thermischen Löcherkonzentration großen haftenden Raumladungskonzentration erfolgt die Haftstellenentleerung bei stark abgesenkter Löcherkonzentration, wodurch der Retrapping‐Einfluß vernachlässigbar ist. Für die zeitliche Änderung der haftenden Raumladungskonzentration ist das Verhältnis von injizierter getrappter Trägerdichte Δ H + (0) zu der im thermischen Gleichgewicht vorhandenen Zentrenbesetzung H   0 +maßgebend. Bei hoher zusätzlicher Besetzungskonzentration erfolgt die Entleerung nach einer Exponentialfunktion, wodurch eine direkte Bestimmung der Emissionswahrscheinlichkeit r e ermöglicht wird. Bei kleiner injizierter Trägerdichte ist die zeitliche Anderung der haftenden Raumladung konstant und proportional zu r e H   0 + . Aus den Emissionswahrscheinlichkeiten erhält man für den Wirkungsquerschnitt (Löcher) des Eisenzentrums g · Θ p = 0,7 × 10 −15 cm 2 ( g statistischer Gewichtsfaktor).