Zur Zeitabhängigkeit raumladungsbegrenzter Injektionsströme in Halbleitern

Es wird die Zeitabhängigkeit von Raumladungsströmen unter Berücksichtigung eines Haftterms untersucht. Für die Füllung und Entleerung der Haftstellen werden Näherungslösungen angegeben, aus denen die Einfangszeit τ c und Emissionszeit τ e bestimmt werden können. Bei hinreichend kleiner Spannung ändert sich der Injektionsstrom exponentiell mit der Zeitkonstanten τ c . Nach Abschalten der Injektionsspannung werden die freien Ladungsträger von dem durch haftende Raumladung verursachten Feld aus dem Kristall herausgeschwemmt, wodurch die thermische Ladungsträgerkonzentration p 0 auf den Minimalwert p = (τ R /τ e ) p 0 (τ R dielektrische Relaxationszeit) absinken kann. Bei starker Füllung des Haftterms gegenüber dem thermischen Gleichgewicht ändert sich dabei die haftende Raumladungskonzentration exponentiell mit der Zeitkonstanten τ e . Bei schwacher zusätzlicher Haftstellenfüllung ist die zeitliche Änderung der haftenden Raumladung konstant und hängt von der im thermischen Gleichgewicht vorhandenen Besetzung ab.