Premium
Zur Aufladung belichteter CdS‐Kristalle bei verschiedenen Kontakten
Author(s) -
Ruppel W.,
Schlaile H. G.
Publication year - 1966
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19660150228
Subject(s) - chemistry
Die Aufladung von CdS‐Kristallen im Kontakt mit In, Te, Se, n‐Ge, p‐Ge, n‐Si und p‐Si wird im Dunkeln und bei Belichtung gemessen. Im Dunkeln wird eine negative Aufladung, die einer Elektronenanreicherungsrandschicht entspricht, für In, n‐Ge und n‐Si beobachtet, während eine positive Aufladung, entsprechend einer Elektronenverarmung, für Te, Se, p‐Ge und p‐Si gefunden wird. Bei Belichtung wird die Aufladung im allgemeinen positiver und kann sich sogar von negativ zu positiv ändern, womit der Umschlag von Elektronenanreicherung zu Elektronenverarmung angezeigt wird. Messungen der Photoleitung unterstützen die Vorstellung, daß der Wechsel der Raumladungsschicht bei Belichtung durch ein stärkeres Ansteigen der Konzentration freier Elektronen im Volumen gegenüber der Oberfläche hervorgerufen wird, entsprechend einer größeren Rekombinationslebensdauer im Volumen als an der Oberfläche.