Strahlungsdefekte in deuteronenbombardierten CdS‐Kristallen

An CdS‐Einkristallen wurden vor und nach einer Bestrahlung bei 150 °K mit 13,5 MeV‐Deuteronen Untersuchungen der Dunkelleitfähigkeit, der spektralen Verteilung der Photoleitfähigkeit, der Lebensdauer der Leitungselektronen und des Hafttermspektrums durchgeführt. Die Konzentration der durch Kernumwandlungen erzeugten Fremdatome Indium und Zinn wurde durch γ‐Spektroskopie ermittelt. Aus den elektrischen Messungen folgt, daß durch den Beschuß mit einer effektiven Erzeugungsrate von ca. 5 × 10 −3 cm −1 Defektniveaus bei E c – 0,10 eV, E c –0,42 eV und E c –0,65 eV mit Einfangquerschnitten für Elektronen von 5 × 10 −15 , 1 × 10 −14 bzw. 5 × 10 −14 cm 2 gebildet werden, die bei Raumtemperatur stabil sind. Das Zentrum bei E c –0,42 eV tritt sowohl als Haftterm als auch als Donator in Erscheinung. Das Verhalten der Lebensdauer deutet auf die Vergrößerung der Konzentration von “class II” Rekombinationszentren bei ca. E y + 0,15 eV hin. Es wird eine Deutung hinsichtlich der Natur der strahlungserzeugten Defektniveaus vorgeschlagen.