Untersuchungen über die energetische Verteilung der Haftsteller für Defektelektronen in Anthracenkristallen

Beim Anlegen einer Spannung stellt sich in einem Anthracenkristall eine räumlich unsymmetrische Besetzung der Haftstellen mit Defektelektronen ein. Beim Abschalten des Feldes entsteht deshalb ein Rückstrom. Seine Zeitabhängigkeit liefert Informationen über die beteiligten Haftstellen. Es wird gezeigt, daß energetisch benachbarte Haftstellen für Defektelektronen existieren müssen (Energieabstand ca. 0,01 eV), deren Dichte exponentiell mit der Energie abnimmt. Numerische Abschätzungen führen zu dem Schluß, daß diese Haftstellenverteilung mit der früher als kontinuierlich postulierten exponentiellen Verteilung identisch ist.