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Tunnel‐ und Schottky‐Emission in Al 2 O 3 ‐Dünnfilmelementen
Author(s) -
Ludwig W.,
Korneffel B.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650120221
Subject(s) - physics
Messungen der Strom‐Spannungscharakteristiken an AlAl 2 O 3 Al‐Dünnfilmdioden ergeben Beziehungen der Form In i ∼ U und In \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ i \sim \sqrt U $\end{document} , die auf Grund der Dickenabhängigkeit und der Temperaturabhängigkeit bis zu 100 °K als Tunnel‐ bzw. Schottky‐Emission gedeutet werden können. Mit einer von Stratton (1962) entwickelten Theorie kann die Austrittsarbeit für Al zu 1,27 eV und die effektive Elektronenmasse m eff / m 0 ≈ 1 bestimmt werden. Es wird der Einfluß einer Raumladung in den Metallelektroden als Ursache für die gemessene Differenz zwischen effektiver Tunneldicke und Kapazitätsdicke und für eine spannungsabhängige effektive Austrittsarbeit diskutiert.