Photoimpedanzmessungen und Raumladungsprozesse in Photoleitern vom CdS‐Typ

Abstract Kapazität und dielektrischer Verlustfaktor von Einkristallen vom CdS‐Typ, die entweder mit Polystyrolfolien bedeckt oder mit SiO‐Schichten im Vakuum bedampft wurden, werden in Abhängigkeit von der Frequenz des angelegten Wechselfeldes und der Anregungsintensität gemessen. Die Frequenzabhängigkeit der Meßgrößen kann formal mit den Debye‐Gleichungen beschrieben werden. Das Impedanzverhalten obiger Anordnung wird befriedigend mit der Vorstellung einer Raumladungsschicht an den blockierenden Elektroden erklärt. Zur Berechnung der komplexen Kapazität wird ein reaktionskinetisches Modell nach Böer und Voigt und die lineare Theorie der Raumladungspolarisation von Macdonald benutzt. Allgemein treten zwei Dispersionsgebiete auf, die von der endlichen Beweglichkeit und Lebensdauer der Ladungsträger im Leitungsband herrühren.