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Photoleitung und p—n‐Photoeffekt in SiC bei Anregung mit Röntgenstrahlen
Author(s) -
Jungk G.,
Keiper A.,
Thiessen K.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650120207
Subject(s) - physics , materials science , crystallography , chemistry
An hochohmigen SiC‐Einkristallen wurden die Photoleitfähigkeit und der p—n‐Photoeffekt bei Anregung mit Röntgenstrahlen untersucht. Die Photoleitungsexperimente sind bei tiefen Temperaturen durch einen Hafteffekt für Minoritätsträger zu erklären. Die Röntgenphotoleitung wurde durch Temperaturerhöhung bzw. Nebenlichteinstrahlung aus dem Gebiet der Störstellenabsorption getilgt.