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Zur Relaxation der Photoleitfähigkeit von CdS‐Einkristallen mit superlinearen Photostrom‐Beleuchtungscharakteristiken
Author(s) -
Voigt J.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650120118
Subject(s) - physics
Es wird über Kurzzeitmessungen des An‐ und Abklingens der Photoleitfähigkeit (μs‐Bereich) von CdS‐Einkristallen mit bei Zimmertemperatur superlinearen Photostrom‐Beleuchtungscharakteristiken bei verschiedenen Intensitäten einer zusätzlichen konstanten Belichtung berichtet. Aus den Anklingmessungen wird die Intensitätsabhängigkeit der Quantenausbeute bestimmt, die Abklingmessungen geben Aussagen über die Beeinflussung des Anklingvorganges des Photostromes durch Anhaftprozesse der Leitungselektronen. Aus den Meßergebnissen wird der Schluß gezogen, daß bei Variation der Quasifermigrenze zwischen etwa 0,5 und 0,33 eV unter der Leitungsbandkante indirekte Anregungsprozesse der Leitungselektronen eine mit der Anregungsintensität wachsende Quantenausbeute und somit die Superlinearität der Photostrom‐Beleuchtungscharakteristik bedingen.