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Einfluß von Temper‐ und Diffusionsprozessen auf die Trägerlebensdauer in Silizium
Author(s) -
Jungk G.,
Menniger H.,
Thiessen K.,
Williges A.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650120114
Subject(s) - physics , art
In p‐Silizium wurde die Änderung der Lebensdauer der Minoritätsträger durch einige für die Gleichrichterherstellung typische Temper‐ und Diffusionsprozessen untersucht. Eine Temperung in Stickstoff oder Sauerstoff ergab in Abhängigkeit von der Lebensdauer der ungetemperten Proben eine Vergrößerung bzw. Verkleinerung der Lebensdauer. Bei der Phosphordiffusion aus einer P 4 O 10 ‐Quelle wurde die Lebensdauer erhöht bei fehlender Getterung wird sie verkleinert oder bleibt ungeändert. Die Ergebnisse deuten darauf him, daß durch die Getterung die Einfangwahrscheinlichkeit der Versetzungen für Minoritätsträger verkleinert wird und Minoritätsträgerlebensdauern > 10 2 μs durch die Versetzungsdichte begrenzt sind.