Verstärkung und Tilgung von Photoeffekten in CdS

An CdS‐Kristallen mit einem Au‐ und einem In‐Kontakt wird der Einfluß eines Nebenlichtes auf die im Grundgitter angeregten Photospannungen und ‐ströme im Spektralbereich 3,0 eV bis 0,7 eV untersucht. Eine Verstärkung der Photospannung durch Nebenlicht tritt außer im Grundgitterabsorptionsgebiet auch im infraroten Spektralbereich auf, die mit der Anregung von Minoritätsträgern aus den Tilgungszentren des CdS zusammenhängt. Es existiert ein Intensitätsbereich, in dem die Minoritätsträgeranregungsrate proportional der eingestrahlten Nebenlichtintensität ist. Die relative Änderung der Minoritätsträgerkonzentration ist in diesem Intensitätsbereich größer als die relative Änderung der Majortätsträgerkonzentration. An der Absorptionskante wird die im Grundgitter angeregte Photospannung verringert durch die Shuntwirkung des Kristallvolumens, in dem die Elektronenlebensdauer größer ist als in der Verarmungsrandschicht am Au‐CdS‐Kontakt.