Zum Kontaktierungsprozeß an CdS‐Kristallen

Die Frage, ob in einer Gasentladung, in die CdS‐Kristalle zwecks Herstellung sperrschichtfreier Kontakte eingeführt werden, die Elektronen des Gasplasmas einen großen Wirkungsgrad beim Beglimmungseffekt besitzen, ist bis heute noch nicht eindeutig beantwortet worden. Es wurde deshalb eine Anzahl von Kristallen im Hochvakuum entweder nur mit Elektronen oder nur mit Ionen einer Energie bestrahlt, die der in der Gasentladung entspricht. Der Elektronenbeschuß führte im Sinne der heute gültigen Vorstellungen über sogenannte ohmsche Kontakte in keinem Fall zu einer registrierbaren Veränderung der Kristalloberfläche, während ein Ionenbeschuß zum größeren Teil nichtsperrende Kontakte ergab.