Zur Abhängigkeit der Lebensdauer von der Versetzungsdichte bei tiegelfreien Silizium‐Einkristallen

Es wird über Messungen der Lebensdauer bei unter Vakuum zonengereinigten Silizium‐Einkristallen mit Versetzungsliniendichten von 10 4 bis 10 5 cm −2 berichtet. Die durch Ätzen auf (111)‐Ebenen nachgewiesenen Versetzungslinienrichtungen entsprechen den von Hornstra angegebenen elementaren Versetzungslinientypen. An etwa 80 p‐leitenden Kristallen wurde eine Abhängigkeit der Lebensdauer τ von der Versetzungsdichte N D nach τ × N D = 15 s cm −2 gemessen. Diese Beziehung ist in einem weiten Bereich unabhängig von der Majoritätsträgerkonzentration. Die Temperaturabhängigkeit der Lebensdauer oberhalb 300 °K kann mit einer Dissoziationsenergie von etwa 0,1 eV oder mit einem temperaturabhängigen Wirkungsquerschnitt ∼ T −3 erklärt werden.