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Zum Problem der Lebensdauermessung mit der Doppelimpulsmethode bei Silizium‐Einkristallen
Author(s) -
Lemke H.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650120108
Subject(s) - physics
Für Lebensdauermessungen an reinen Silizium‐Einkristallen wird ein Impulsverfahren unter Verwendung injizierender Metall‐Halbleiterkontakte beschrieben. Mit der Methode können insbesondere bei p‐Silizium Lebensdauerwerte im Bereich von 10 −6 bis 10 −3 s bei spezifischen Widerständen ≳ 1 Ωcm gemessen werden. Der Abklingverlauf der injizierten Minoritätsträgerkonzentration kann durch Modulation der Impulsverzögerung oszillographisch geschrieben werden. Die aus den Abklingfunktionen ermittelten Lebensdauern stimmen innerhalb von 20% mit den aus Messungen der nichtstationären Photoleitung bestimmten Werten überein. Die Orts‐ und Zeitabhängigkeit der Minoritätsträgerkonzentration wird für schwache Injektion berechnet.