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Das Reflexionsvermögen von Germanium‐ und Silizium‐Einkristallen bei elastischer Deformation
Author(s) -
Gerhardt U.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650110232
Subject(s) - crystallography , chemistry , physics , materials science
Das Reflexionsvermögen von uniaxial in [001]‐ und [111]‐Richtung verformtem Ge und Si (Verformung ≈ 0,4%) wird mit linear polarisiertem Licht gemessen. Untersucht werden die Reflexionsmaxima des Ge bei 2 und 4,5 eV und die des Si bei 3,4 und 4,5 eV. Die durch die Verformung hervorgerufenen Änderungen des Reflexionsvermögens (Δ R ≈ 1%) rühren überwiegend von Änderungen der Übergangsmatrixelemente her, die wegen der Symmetrieerniedrigung auftreten. Die beobachteten Energieverschiebungen der Maxima (Δ E ≈ ≈ 10 meV) kommen durch Verschiebungen der Energiebänder zustande. Aus diesen Energieverschiebungen werden einige Deformationspotentiale bestimmt.