Reflexion sehr langsamer Elektronen an Metalloberflächen

Monochromatische Elektronen (Energiebreite 0,1 eV) wurden im UHV auf eine W‐(110) Oberfläche geschossen und die Abhängigkeit der Anzahl reflektierter Elektronen von der Primärenergie im Bereich 0 bis 1,5 eV gemessen. Zunächst wurde die Elektronenreflexion bei verschiedener Gasbedeckung (N 2 und O 2 ) gemessen, dann in einem zweiten Experiment diese Messung wiederholt, wobei sichergestellt wurde, daß während der Meßzeit die Kristall‐oberfläche absolut frei von Fremdgasbedeckung war. Der von uns gemessene Reflexionskoeffizient ist sehr viel größer als der nach den Nordheimschen Rechnungen für das Bildkraftpotential zu erwartende. Schließlich kann gezeigt werden, daß unsere Ergebnisse in guter Übereinstimmung mit denen von Hutson und widersprüchlich zu denen von Shelton und Kisliuk sind.