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Piezowiderstand von n‐Silizium in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke
Author(s) -
Asche M.,
Bondar W. M.,
Sarbej O. G.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650110123
Subject(s) - chemistry , physics
Zur Untersuchung der Elektronentemperatur bei starken elektrischen Feldern in n‐Si wurde die Abhängigkeit des Piezowiderstandes von der elektrischen Feldstärke gemessen. Die experimentellen Resultate zeigen, daß diese Abhängigkeit nicht monoton ist, wie auf Grund der bestehenden Theorie erwartet wurde. Durch Näherungslösung der Boltzmanngleichung in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke bei Anwesenheit von mechanischer Spannung wird eine Analyse der Bedingungen durchgeführt, bei denen eine solche nichtmonotone Abhängigkeit auftritt und die als Ursache dieser Erscheinung wirken. Die Ergebnisse der Berechnungen und der experimentellen Daten werden verglichen.