Piezowiderstand von n‐Silizium in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke

Zur Untersuchung der Elektronentemperatur bei starken elektrischen Feldern in n‐Si wurde die Abhängigkeit des Piezowiderstandes von der elektrischen Feldstärke gemessen. Die experimentellen Resultate zeigen, daß diese Abhängigkeit nicht monoton ist, wie auf Grund der bestehenden Theorie erwartet wurde. Durch Näherungslösung der Boltzmanngleichung in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke bei Anwesenheit von mechanischer Spannung wird eine Analyse der Bedingungen durchgeführt, bei denen eine solche nichtmonotone Abhängigkeit auftritt und die als Ursache dieser Erscheinung wirken. Die Ergebnisse der Berechnungen und der experimentellen Daten werden verglichen.