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Epitaxiales Wachstum von Silbersulfid auf dünnen Silberschichten
Author(s) -
Schlötterer H.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650110120
Subject(s) - chemistry
Auf Steinsalzspaltflächen aufgedampfte Silberschichten wurden mit Schwefelwasserstoffgas behandelt, Hierdurch bildet sich Silbersulfid mit der monoklinen Elementarzelle des Akanthits. Silber und Silbersulfidschichten zusammen wurden mit dem Elektronenmikroskop und mit Elektronenbeugung untersucht. Die Silbersulfidkristalle sind epitaxial zu den Silberschichten aufgewachsen. Es treten zwei verschiedene Kristallgruppen auf, die sich äußerlich durch die Richtungen ihrer Seiten unterscheiden, nämlich 〈110〉‐ und 〈100〉‐ Kristalle, Gemeinsam ist den acht verschiedenen Sulfid‐Orientierungen, daß die (012)‐Ebene der Ag 2 S‐Kristalle nahezu parallel zur (001)‐Ebene des Silbers verläuft. Die acht Orientierungen lassen sich durch Drehungen um 45° bzw. 90° oder durch Spiegelung an einer {220}Ag‐Ebene (Zwillingsebene) ineinander überführen. Bei einigen 〈100〉‐Kristallen werden Versetzungsanordnungen beobachtet, die auf die von van der Merwe für epitaxiale Schichten vorhergesagten Grenzflächenversetzungen schließen lassen.

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