Die “kritische Wachstumsgeschwindigkeit” realer Kristallflächen in Lösung und ihre Abhängigkeit von Störungen des Keimes

Es wird über Auswirkungen von Störungen des Keimes auf den Realbau der in Lösung gezüchteten Kristalle berichtet und nachgewiesen, daß im Keim vorhandene Baufehler sich in den wachsenden Kristall als primäre Störungen fortpflanzen. Die Versuche zeigen, daß jede Fläche eines Realkristalls eine für sie spezifische “kritische Wachstumsgeschwindigkeit” besitzt, die vom Störungsgrad der Oberfläche der betreffenden Kristallart abhängt. Bei Überschreitung dieses Wertes entwickeln sich in der Umgebung der primären Störungen zahlreiche Einschlußhohlräume zu sekundären Störungen. Die aus diesem Verhalten not‐wendigen Schlußfolgerungen bei der Züchtung von Kristallen werden diskutiert.