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Zur Richtungsabhängigkeit der Sekundärelektronenausbeute von Kupfereinkristallen bei Ionenbeschuß
Author(s) -
Zscheile H.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650110114
Subject(s) - physics , chemistry
Es wird über Messungen der Sekundärelektronenausbeute an einem Cu‐Einkristall bei Beschuß mit H 1 +und Edelgasionen von 17,5 bis 35 keV berichtet. Die Ausbeute hängt vom Einfallswinkel des Ionenstrahles gegen die Probenoberfläche und von seiner Orientierung gegen das Kristallgitter ab. Der Einfluß des Einfallswinkels ist uru so größer, je größer die Reichweite der Ionen ist. Der Einfluß der Gitterstruktur wächst mit der Ionen‐masse.