Untersuchung des Rauschspektrums von CdS‐Einkristallen

Das elektronische Rauschen von CdS‐Einkristallen wurde in einem einfachen Hafttermmodell diskutiert und im Frequenzbereich 20 Hz bis 500 kHz gemessen. Es wird eine Methode angegeben, mit der aus dem Generations‐Rekombinationsrauschen energetische Lage, Frequenzfaktor und Einfangquerschnitt flacher Haftstellen bestimmt werden können. Für diskrete Terme, die 0,3 bis 0,6 eV unter dem Leitungsband liegen, werden Frequenzfaktoren von etwa 10 10 bis 10 11 s −1 und Einfangquerschnitte von 10 −15 bis 10 −16 cm 2 ermittelt. Die Ergebnisse werden mit aus Leitfähigkeitsglowkurven gewonnen Werten verglichen. Ferner wurden der Einfluß einer Hafttermverteilung und einer Majoritätsträgerinjektion auf das Rauschspektrum untersucht. Aus dem Schrotrauschen wurde die Driftbeweglichkeit freier Leitungselektronen bestimmt. Es ergeben sich Werte zwischen 30 und 50 cm 2 V −1 s −1 bei Zimmertemperatur.