Zur Theorie des Photoeffekts in pn‐Übergängen und Metall‐Halbleiter‐Kontakten

Es wird ein Verfahren angegeben zur Berechnung der Strom‐Spannungs‐Kennlinien von belichteten pn‐Übergängen und Metall‐Halbleiter‐Kontakten bei linearer Rekombination. Die Gültigkeitsgrenze unserer Überlegungen wird im wesentlichen bestimmt durch die Forderung, daß der elektrostatische Potentialabfall in den raumladungsfreien Gebieten klein bleiben soll gegen k T/q . Rekombination und Generation in den Raumladungs‐Gebieten werden vernachlässigt, es werden also hinreichend große Diffusionslängen vorausgesetzt. Unsere Rechnungen umfassen die Ergebnisse früherer Autoren als Spezialfälle, insbesondere wird der unbelichtete Grenzfall sowohl für den pn‐Übergang als auch für den Metall‐Halbleiter‐Kontakt richtig wiedergegeben.