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Sur le mode de fonctionnement des transistors à interface métal‐semiconducteur
Author(s) -
Pistoulet B.,
Rouzeyre M.
Publication year - 1965
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - French
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19650090209
Subject(s) - physics , humanities , philosophy
Abstract Deux modes de fonctionnement ont été proposés pour le transistor à interface métal‐semiconducteur: injection d'électrons chauds ou fonctionnement par courbure des équipotentielles. Les mesures effectuées sur les transistors que nous avons fabriqués nous font conclure à la prédominance du dernier mécanisme. Les propriétés des diodes et la réversibilité du rǒle des deux métaux dans le fonctionnement en triode ne peuvent en effet absolument pas être expliquées par le premier modèle. Des études complémentaires susceptibles de conduire à un fonctionnement par transport d'électrons chauds sont en cours.