Halbleiter‐Eigenschaften von reinen Bleiglanzkristallen

Die Temperaturabhängigkeiten der elektrischen Leitfähigkeit σ( T ), des Hallkoeffizienten R(T) , der differentiellen Thermokraft α( T ) und des Nernst‐Ettingshausen‐Koeffizienten Q ⟂ ( T ) wurden im Temperaturbereich zwischen 100 und 500 °K an natürlichen Bleisulfidkristallen (mit n ⋍ 3 · 10 15 cm −3 ) untersucht. Die Breite der verbotenen Zone bei T = 0 beträgt 0,34 eV und das Beweglichkeitsverhältnis μ n /μ p = 1,4. Im Eigenleitungsgebiet ist die Hallbeweglichkeit proportional T −3/2 , im Gebiet vollständiger Ionisation der Donatoren ist sie proportional T −2 . Bei tiefen Temperaturen tritt ein Phononen‐Drag auf. Die aus den Meßwerten berechnete effektive Masse ist proportional T 0,2 . Die Lebensdauer τ p der injizierten Träger variiert zwischen 20 und 60 μs und stimmt mit den von Scanlon [6] erhaltenen Werten überein.