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Untersuchung atomarer Fehlstellen in verformtem Kupfer mit Hilfe des elektrischen Widerstandes
Author(s) -
Ramsteiner F.,
Schüle W.,
Seeger A.
Publication year - 1964
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19640070322
Subject(s) - chemistry , physics , art , medicinal chemistry
Abstract Das Erholungsverhalten des elektrischen Widerstandes von plastisch verformtem Kupfer (Reinheitsgrade: 99,99%, 99,999%) wird im Temperaturgebiet zwischen ‐40 und 250 °C untersucht. In diesem Temperaturgebiet werden drei Erholungsprozesse beobachtet. Die erste Erholungsstufe (Stufe III, Aktivierungsenergie (0,64 ± 0,04) eV) wird auf die Rekombination von Zwischengitteratomen mit den (beim Verformen in etwa gleicher Konzentration entstandenen) Leerstellen zurückgeführt. Die daran anschließende Stufe IV (Aktivierungsenergie (1,05 ± 0,05) eV) wird, auf Grund der Übereinstimmung ihrer Aktivierungsenergie mit der nach Abschrecken in diesem Temperaturgebiet gefundenen, dem Ausheilen einzelner Leerstellen zugeschrieben. Bei der dritten der beobachteten Erholungsstufen handelt es sich um die wohlbekannte Stufe V.