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Die Wirkung von Licht auf raumladungsbeschränkte Defektelektronenströme in Anthrazen
Author(s) -
Jansen P.,
Helfrich W.,
Riehl N.
Publication year - 1964
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19640070313
Subject(s) - chemistry , microbiology and biotechnology , biology
Lichteinwirkung vergrößert den raumladungsbeschränkten Löcherstrom in Anthrazen infolge Löcherbefreiung aus Haftstellen im Volumen des Kristalls. Durch Untersuchung einer großen Zahl von Kristallen verschiedener Herkunft wurde gefunden, daß die Abhangigkeit des Stromes ( i ) von der Spannung ( V ) und Lichtentensität ( I ) durch die Beziehung i ˜ I 1‐1/ l beschrieben werden kann. Der Parameter l wird durch die Strom‐Spannungs‐Charakteristik des Dunkelstromes i Dunkel ˜ V l +1 geliefert. Die Wellenlängenabhängigkeit des Stromes zeigt das Spektrum einer Triplettanregung des Anthrazens. Sowohl im Gebiet der Triplett‐als auch im Gebiet der Singulettabsorption werden die Löcher durch das Licht über entsprechende Exzitonenzustände aus den Haftstellen befreit. Bei hohen Triplettkonzentrationen (≦4 × 10 11 cm −3 ) scheint die Löcherbefreiung ein bimolekularer Triplettprozeß zu sein.