Morphologie und Wachstumsmechanismus von AIN‐Einkristallen

Die vorliegende Arbeit behandelt die Züchtung von Aluminiumnitrid‐Einkristallen durch Reaktion aus der Gasphase im Temperaturgebiet von 1750 bis 2050 °C. Es wurde gefunden, daß bei höheren Übersättigungen meist prismatische, bei niedrigeren dagegen plättchenförmige Kristalle entstehen. Zwei Reaktionen\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$$ {\rm Al(g) + 1/2N}_{\rm 2} ({\rm g}) \to {\rm AIN}({\rm s}) $$\end{document}\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$$ {\rm Al(g) + 1/2N}_{\rm 2} ({\rm g}) \to {\rm AIN}({\rm g}) \to {\rm AIN}({\rm s}) $$\end{document}die bei dem Wachstum aus der Gasphase zur Geltung kommen können, werden diskutiert. Der Habitus der Kristalle kann dadurch beeinflußt werden, daß die eine oder die andere der beiden angeführten Reaktionen die entscheidende Rolle spielt. Gleichzeitig muß auch die Einwirkung von Verunreinigungen berücksichtigt werden.