Zum Einfluß freier Elektronen auf die Eigenabsorptionskante halbleitender Zinndioxydschichten

Das Absorptionsverhalten „zusatzfreier” Zinndioxydschichten mit Elektronenkonzentrationen bis zu N ≈ 2 · 10 20 cm −3 wurde im Bereich der Eigenabsorptionskante untersucht. Mit steigender Elektronenkonzentration verschob sich die Absorptionskante nach kürzeren Wellenlängen. Mit Hilfe einer halbklassischen Absorptionstheorie, die die Elektronengitterwechselwirkung mit den longitudinalen optischen Phononen und die mit steigender Elektronenkonzentration zunehmende Auffüllung des Leitungsbandes berücksichtigte, wurden die experimentellen Ergebnisse ausgewertet. Für die effektive Masse im Leitungsband ( m * = 0,3 m 0 ) und für die die Elektronengitterwechselwirkung bestimmende Stoßzeit ergaben sich Werte, die mit den bereits früher vom Autor aus Gleichstrom‐ bzw. Ultrarotuntersuchungen erhaltenen Ergebnissen im Rahmen der Fehlergrenzen übereinstimmten. Ferner wurden die Breite der verbotenen Zone (Δ E = 3,45 eV) und die effektive Masse im Valenzband ( m v = 0,16 m 0 ) ermittelt.