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Theorie des stationären photomagnetoelektrischen Effektes in InSb
Author(s) -
Richter G.
Publication year - 1964
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19640050303
Subject(s) - chemistry , physics , humanities , microbiology and biotechnology , philosophy , biology
Die Theorie des stationären photomagnetoelektrischen Effektes (PME‐Effekt) wird für Halbleiter mit nichtparabolischer Energiebandstruktur formuliert. Entartung des Ladungsträgerensembles wird mitberücksichtigt. Rekombinationsprozesse werden nach einem definierten Modell behandelt. Ein wichtiges Ergebnis der Theorie ist die Unabhängigkeit des PME‐Feldes von sogenannten „Trapping„‐Effekten.