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Zur Messung der Diffusionslänge der Minoritätsträger in Halbleitern
Author(s) -
Jungk G.,
Menniger H.
Publication year - 1964
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19640050120
Subject(s) - chemistry , physics , materials science
Mittels Lichtsondenabtastung wird die Ortsabhängigkeit des p—n‐Photoeffektes bzw. des Randschichtphotoeffektes an schräg geschliffenen Proben gemessen und daraus die Diffusionslänge bestimmt. Es können Diffusionslängen ≧ 10 μm gemessen werden, die bei gegebener Temperatur unabhängig von der Größe der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit, des Reflexionsvermögens und der Quantenausbeute sind. Die Methode wurde durch Messung an Silizium geprüft.