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Statische Eigenschaften von Siliziumdioden im Sperrbereich mit besonderer Berücksichtigung abrupter p ‐ n ‐Übergänge I. Der Spannungsdurchbruch
Author(s) -
Antula J.
Publication year - 1963
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19630031006
Subject(s) - physics
Die Arbeit befaßt sich mit der Bestimmung des Anteiles von Stoßionisation und Feldemission in abrupten Silizium‐ p ‐ n ‐Übergängen am elektrischen Durchschlag. Bei bestimmten Durchbruchspannungen sind beide Mechanismen wirksam. Für jeden Durchbruchsmechanismus wird ein Anteilskoeffizient eingeführt und seine Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung festgestellt. Dadurch wird es ermöglicht, die Spannungsabhängigkeit des Durchbruchsstromes auch im Übergangsbereich, in dem beide Durchbruchsmechanismen parallel wirken, zu errechnen.