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Zur Kinetik der Photoleitung in SiC
Author(s) -
Thiessen K.,
Egorow W. D.,
Jungk G.
Publication year - 1963
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19630030317
Subject(s) - physics , political science
Es wird über Messungen der nichtstationären Photoleitung in Sic berichtet. Dabei wird festgestellt, daß sowohl in p‐ als auch in n‐leitendem SiC ein starker Minoritätsträgerhafteffekt auftritt und dadurch die Photoleitung im wesentlichen durch Majoritätsträger bedingt ist. Aus der kurzen Komponente des Abklingvorganges der Photoleitung werden Lebensdauern der Minoritätsträger bis zu 30 μs bestimmt.