Elektronenmikroskopische Oberflächenuntersuchungen an CdS‐Einkristallen

Oberflächenabdrucke von unbehandelten sowie von verschiedenen Behandlungen unterworfenen CdS‐Einkristallen wurden elektronenmikroskopisch bei 12000‐facher Vergrößerung untersucht. An Behandlungsverfahren wurden Temperungen im Hochvakuum, Bestrahlungen mit hohen Lichtintensitäten und Beschuß mit Ionen einer H 2 ‐Gas‐entladung angewendet. Die Oberflächen der unbehandelten Kristalle zeigten in der Regel eine Belegung mit Teilchen, die eine Größe von maximal 1 μm besaßen. Eine Temperung der Kristalle im Hochvakuum führte im allgemeinen zu einer Abnahme der Teilchendichte, während bei intensiver Belichtung stets eine Zunahme der Teilchendichte beobachtet wurde. Bei Ionenbeschuß bildete sich eine polykristalline Kadmiumschicht aus. Die beobachteten Teilchen werden als Kadmiumabscheidungen gedeutet.