Raumladungsbegrenzte Ströme in Halbleitern mit sperrenden Kontakten

Für einen Halbleiter ohne Haftstellen und mit nur einer Art von beweglichen Ladungsträgern wird untersucht, was fär Strom‐Spannungs‐Abhängigkeiten bei sperrenden, neutralen und sogenannten „Ohmschen” Kontakten erwartet werden können. U. a. ergibt sich, daß raumladungsbegrenzte Ströme auch bei sperrenden Kontakten auftreten können, vorausgesetzt, daß oberhalb einer bestimmten Feldstärke am sperrenden Kontakt der Strom bei nur geringer Zunahme der Feldstärke rapide anwächst, wie z. B. bei der Schottky‐Emission und (im Prinzip) beim Tunneleffekt.