Versetzungsnachweis auf Spaltflächen von Halbleitereinkristallen

Es wird über experimentelle Ergebnisse beim Nachweis von Versetzungen in Halbleitereinkristallen berichtet Durch chemisches Ätzen von Spaltflächenpaaren steigt der Informationsgehalt der dabei erzeugten Strukturen wesentlich gegenüber Ätzstrukturen auf Einkristall‐Oberflächen, die durch Schneid‐ und Polierprozesse erzeugt worden sind. Bei der Verwendung von Spiegelflächen kann nicht nur eine Anzahl von Störungen ausgeschaltet werden, sondern durch Ausnutzung der Symmetriebedingungen ist auch eine eindeutige Zuordnung der Ätzstrukturen zu den Kristallbaufehlern möglich. Die Entwicklung von Ätzstrukturen auf Spaltflächen ergibt ein einfaches, aber sehr zuverlässiges Verfahren zur Beurteilung von Halbleitereinkristallmaterial.