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Rekombination in Halbleitern bei Störstellenanregung
Author(s) -
Thiessen K.
Publication year - 1962
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19620021005
Subject(s) - materials science , geology
Es werden Ausdrücke für die durch Störstellenanregung einfach und zweifach geladener Zentren im stationären Fall erzeugten Elektronen‐ und Löcherkonzentrationen sowie für die Lebensdauern abgeleitet.
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